FQP70N08和SPA04N80C3

对比图

型号 FQP70N08 SPA04N80C3 FDP18N50

描述 80V N沟道MOSFET 80V N-Channel MOSFETINFINEON  SPA04N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 VFDP18N50 系列 500 V 265 mOhm 法兰安装 N沟道 MOSFET - TO-220-3

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 80.0 V 800 V -

额定电流 70.0 A 4.00 A -

漏源极电阻 17.0 mΩ 1.1 Ω 0.265 Ω

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 155W (Tc) 38 W 235 W

漏源极电压(Vds) 80 V 800 V 500 V

漏源击穿电压 80.0 V - -

栅源击穿电压 ±25.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 70.0 A 4.00 A -

输入电容(Ciss) 2700pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds) 2860pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 155 W 38 W 235 W

耗散功率(Max) 155W (Tc) 38W (Tc) 235000 mW

额定功率 - 38 W -

针脚数 - 3 3

阈值电压 - 3 V 5 V

上升时间 - 15 ns 165 ns

下降时间 - 12 ns 90 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.65 mm -

宽度 - 4.85 mm -

高度 - 16.15 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -