CSD17577Q3A和CSD17577Q3AT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD17577Q3A CSD17577Q3AT RQ3E180BNTB

描述 N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=35A P=2.8WTEXAS INSTRUMENTS  CSD17577Q3AT  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.4 VTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8Pin HSMT EP T/R

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 VSONP-8 VSONP-8 PowerVDFN-8

通道数 1 1 -

漏源极电阻 5.3 mΩ 0.004 Ω -

极性 N-CH N-Channel -

耗散功率 2.5 W 53 W 2 W

阈值电压 1.1 V 1.4 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -

漏源击穿电压 30 V - -

连续漏极电流(Ids) 19A 19A -

上升时间 31 ns 31 ns -

输入电容(Ciss) 2310pF @15V(Vds) 1780pF @15V(Vds) 3500pF @15V(Vds)

下降时间 4 ns 4 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 53W (Tc) 2.8W (Ta), 53W (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc)

针脚数 - 8 -

长度 3.15 mm 3.5 mm -

宽度 3 mm 3.5 mm -

高度 0.9 mm 0.9 mm -

封装 VSONP-8 VSONP-8 PowerVDFN-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

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