IPD200N15N3GATMA1和IPD200N15N3GBTMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPD200N15N3GATMA1 IPD200N15N3GBTMA1 IPD25CN10NGBUMA1

描述 DPAK N-CH 150V 50ADPAK N-CH 150V 50ADPAK N-CH 100V 35A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.016 Ω - 19 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 150 W 150 W 71 W

阈值电压 3 V - 2 V

输入电容 1820 pF - -

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 50A 50A 35A

上升时间 11 ns 11 ns 4 ns

输入电容(Ciss) 1820pF @75V(Vds) 1820pF @75V(Vds) 2070pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 150 W - -

下降时间 6 ns 6 ns 3 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 150W (Tc) 150W (Tc) 71W (Tc)

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - - 100 V

额定功率 - 150 W -

长度 6.5 mm - 6.5 mm

宽度 6.22 mm - 6.22 mm

高度 2.3 mm 2.3 mm 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

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