BSP299和BSP324E6327

对比图

型号 BSP299 BSP324E6327 BSP299 L6327

描述 Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFETN-channel Sipmos Small-signal TransistorINFINEON  BSP299 L6327  晶体管, MOSFET, N沟道, 400 mA, 500 V, 3.1 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 4 4 4

封装 SOT-223 SOT-223 SOT-223-4

针脚数 4 - 4

漏源极电阻 4 Ω - 3.1 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 1.8 W - 1.8 W

阈值电压 3 V - 3 V

漏源极电压(Vds) 500 V - 500 V

连续漏极电流(Ids) 400 mA - 400 mA

上升时间 15 ns 4.4 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 300pF @25V(Vds) 103pF @25V(Vds) 400pF @25V(Vds)

下降时间 15 ns 68 ns 15 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

工作结温(Max) 150 ℃ - -

耗散功率(Max) 1.8 W 1800 mW 1800 mW

额定电压(DC) - - 500 V

额定电流 - - 400 mA

通道数 - - 1

输入电容 - - 400 pF

漏源击穿电压 - - 500 V

额定功率(Max) - - 1.8 W

长度 6.5 mm - 6.5 mm

宽度 3.5 mm - 3.5 mm

高度 1.6 mm - 1.6 mm

封装 SOT-223 SOT-223 SOT-223-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

产品生命周期 Active Obsolete -

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17