MJD50G和NJVMJD50T4G

对比图

型号 MJD50G NJVMJD50T4G MJD50

描述 ON SEMICONDUCTOR  MJD50G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 400 V, 10 MHz, 1.56 W, 1 A, 30 hFE双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 1A 400V TR高电压功率晶体管 High Voltage Power Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 3 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

频率 10 MHz 10 MHz -

额定电压(DC) 400 V - 400 V

额定电流 1.00 A - 1.00 A

针脚数 4 - -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1.56 W 1.56 W -

增益频宽积 10 MHz - -

击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V 400 V

热阻 8.33℃/W (RθJC) - -

集电极最大允许电流 1A 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 30 @300mA, 10V 30 @300mA, 10V 30 @300mA, 10V

额定功率(Max) 1.56 W 1.56 W 1.56 W

直流电流增益(hFE) 30 - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 1560 mW 1560 mW -

最大电流放大倍数(hFE) - 150 @300mA, 10V 150

长度 6.73 mm - -

宽度 6.22 mm - -

高度 2.38 mm - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

最小包装 - - 2500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -