BC858CLT1和BC858CLT1G

对比图

型号 BC858CLT1 BC858CLT1G BC858C

描述 通用晶体管（ PNP硅） General Purpose Transistors(PNP Silicon)ON SEMICONDUCTOR  BC858CLT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -30 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 100 hFETransistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diotec Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23

耗散功率 225 mW 300mW 250 mW

增益频宽积 100 MHz - 100 MHz

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 250 mW

额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -

额定电流 -100 mA -100 mA -

极性 PNP PNP, P-Channel -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30.0 V -

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) 420 @2mA, 5V - -

额定功率(Max) 300 mW - -

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23

长度 2.9 mm - -

宽度 1.3 mm - -

高度 0.94 mm - -

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -