对比图
描述 N沟道MOSFET的PowerTrench N-Channel PowerTrench㈢ MOSFETN沟道逻辑电平UltraFET沟槽功率MOSFET的30V ， 50A ， 8mз N-Channel Logic Level UltraFET Trench Power MOSFETs 30V, 50A, 8mз
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-251-3 TO-220-3
漏源极电阻 8.2 mΩ 8.00 mΩ
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 70 W 100 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
漏源击穿电压 30 V 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 73.0 A 50.0 A
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃
输入电容(Ciss) 1700pF @15V(Vds) -
耗散功率(Max) 70W (Tc) -
额定电压(DC) 30.0 V -
额定电流 116 A -
通道数 1 -
输入电容 1.70 nF -
栅电荷 34.0 nC -
上升时间 91 ns -
额定功率(Max) 70 W -
下降时间 37 ns -
长度 10.67 mm 10.67 mm
宽度 4.7 mm 4.7 mm
高度 16.3 mm 16.3 mm
封装 TO-251-3 TO-220-3
产品生命周期 Unknown Unknown
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -