STB7N52K3和STD7N52K3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STB7N52K3 STD7N52K3 NTE2935

描述 N沟道525 V, 0.84欧姆, 6.2 A, D2PAK , DPAK , TO- 220FP , TO- 220 SuperMESH3功率MOSFET N-channel 525 V, 0.84 OHM, 6.2 A, D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 SuperMESH3 Power MOSFETN 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsN-CH 500V 6.2A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) NTE Electronics

分类 MOS管MOS管分立器件

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 TO-263-3 TO-252-3 -

引脚数 - 3 -

通道数 1 - -

漏源极电阻 850 mΩ 0.72 Ω -

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 90 W 90 W -

漏源极电压(Vds) 525 V 525 V 500 V

漏源击穿电压 525 V - -

连续漏极电流(Ids) 6A 6A 6.2A

上升时间 11 ns 11 ns -

输入电容(Ciss) 737pF @100V(Vds) 737pF @100V(Vds) -

额定功率(Max) 90 W 90 W -

下降时间 19 ns 19 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 90W (Tc) 90W (Tc) -

阈值电压 - 3.75 V -

封装 TO-263-3 TO-252-3 -

长度 - 6.6 mm -

宽度 - 6.2 mm -

高度 - 2.4 mm -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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