N沟道525 V， 0.84欧姆， 6.2 A， D2PAK ， DPAK ， TO- 220FP ， TO- 220 SuperMESH3功率MOSFET N-channel 525 V, 0.84 OHM, 6.2 A, D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 SuperMESH3 Power MOSFET
N-Channel 525V 6A Tc 90W Tc Surface Mount D2PAK
得捷:
MOSFET N-CH 525V 6A D2PAK
贸泽:
MOSFET N-channel 525V 0.84 6.3 A PAK D
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 525V 6A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 525V 6A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
力源芯城:
525V,0.72Ω,6A,N沟道功率MOSFET
通道数 1
漏源极电阻 850 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 90 W
漏源极电压Vds 525 V
漏源击穿电压 525 V
连续漏极电流Ids 6A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 737pF @100VVds
额定功率Max 90 W
下降时间 19 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 90W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STB7N52K3 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STD7N52K3 意法半导体 | 功能相似 | STB7N52K3和STD7N52K3的区别 |
NTE2935 NTE Electronics | 功能相似 | STB7N52K3和NTE2935的区别 |