对比图
型号 STF3NK80Z STP4NK60ZFP FQPF3N80C
描述 STMICROELECTRONICS STF3NK80Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 800 V, 4.5 ohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS STP4NK60ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 3.75 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF3N80C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 800 V, 4 ohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 800 V - 800 V
额定电流 2.50 A - 3.00 A
额定功率 25 W 25 W -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 4.5 Ω 2 Ω 4 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 25 W 25 W 39 W
阈值电压 3.75 V 3.75 V 5 V
漏源极电压(Vds) 800 V 600 V 800 V
漏源击穿电压 800 V - 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 2.50 A 4.00 A 3.00 A
上升时间 27 ns 9.5 ns 43.5 ns
输入电容(Ciss) 485pF @25V(Vds) 510pF @25V(Vds) 705pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 25 W 25 W 39 W
下降时间 40 ns 16.5 ns 32 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 25W (Tc) 25000 mW 39 W
通道数 - 1 1
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.4 mm 10.16 mm
宽度 - 4.6 mm 4.7 mm
高度 - 9.3 mm 9.19 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - EAR99