对比图
型号 2N2605 JANTX2N2605 JANTXV2N2605
描述 PNP硅低功率晶体管 PNP SILICON LOW POWER TRANSISTORTrans GP BJT PNP 60V 0.03A 3Pin TO-46Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-46,
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Raytheon (雷神)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole -
引脚数 3 3 -
封装 TO-46-3 TO-46 -
耗散功率 0.4 W 0.4 W -
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V -
最小电流放大倍数(hFE) 100 @10mA, 5V 100 @10mA, 5V -
额定功率(Max) 400 mW 400 mW -
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 400 mW 400 mW -
封装 TO-46-3 TO-46 -
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Bulk Bag -
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -
含铅标准 Contains Lead -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -