PMBF170,235和PMBF170,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PMBF170,235 PMBF170,215 MMBF170LT1G

描述 TO-236AB N-CH 60V 0.3ANXP  PMBF170,215  晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2.8 ohm, 10 V, 2 VON SEMICONDUCTOR  MMBF170LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) - - 60.0 V

额定电流 - - 500 mA

额定功率 - - 0.225 W

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 2.8 Ω 5 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 0.83 W 830 mW 225 mW

阈值电压 - 2 V 3 V

输入电容 - - 60 pF

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 - - 60 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 0.3A 300 mA 500 mA

输入电容(Ciss) 40pF @10V(Vds) 40pF @10V(Vds) 60pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 830 mW 830 mW 225 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 830mW (Tc) 830mW (Tc) 225mW (Ta)

长度 - 3 mm 3.04 mm

宽度 - 1.4 mm 1.3 mm

高度 - 1 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

香港进出口证 - - NLR

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