对比图
型号 CSD18532KCS CSD18533KCS CSD18534KCS
描述 60V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET60V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET ..60V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD18534KCS
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 1 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0033 Ω 0.005 Ω 0.0076 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 216 W 160 W 98 W
阈值电压 1.8 V 1.9 V 1.9 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 169A 114A 100A
上升时间 5.3 ns 4.8 ns 4.8 ns
输入电容(Ciss) 4680pF @30V(Vds) 3025pF @30V(Vds) 1880pF @30V(Vds)
额定功率(Max) 216 W 160 W 98 W
下降时间 5.6 ns 3.2 ns 2.4 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 250W (Tc) 192W (Tc) 107W (Tc)
长度 10.67 mm 10.67 mm -
宽度 4.7 mm 4.7 mm 4.7 mm
高度 16.51 mm 16.51 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 正在供货 正在供货
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15
香港进出口证 NLR - -