BDV65B和BDV65BG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BDV65B BDV65BG BDV64BG

描述 DARLINGTONS 10安培互补硅功率晶体管 DARLINGTONS 10 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORSON SEMICONDUCTOR  BDV65BG  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 125 W, 10 A, 1000 hFEON SEMICONDUCTOR  BDV64BG  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 125 W, -10 A, 1000 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-218-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 100 V 100 V -100 V

额定电流 10.0 A 10.0 A -10.0 A

针脚数 - 3 3

极性 NPN NPN PNP, P-Channel

耗散功率 - 125 W 125 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

集电极最大允许电流 10A 10A 10A

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @5A, 4V 1000 @5A, 4V 1000 @5A, 4V

额定功率(Max) 125 W 125 W 125 W

直流电流增益(hFE) - 1000 1000

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 125000 mW 125000 mW

额定功率 - 125 W -

长度 - 15.2 mm 15.2 mm

宽度 - 4.9 mm 4.9 mm

高度 - 12.2 mm 12.2 mm

封装 TO-218-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

最小包装 30 - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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