PD54003-E和PD54003L-E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PD54003-E PD54003L-E PD54003S-E

描述 RF功率晶体管, LDMOST塑料家族的N沟道增强模式,横向MOSFET的 RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETsN沟道 增强模式 横向场效应 射频 功率晶体管RF功率晶体管, LDMOST塑料家族的N沟道增强模式,横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 晶体管晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 14 3

封装 PowerSO-10RF 5X5-8 PowerSO-10RF

频率 500 MHz 500 MHz 500 MHz

额定电压(DC) 25.0 V 7.00 V -

额定电流 4 A 4 A -

耗散功率 52.8 W 19500 mW 52.8 W

输出功率 3 W 3 W 3 W

增益 12 dB 20 dB 12 dB

测试电流 50 mA 50 mA 50 mA

输入电容(Ciss) 59pF @7.5V(Vds) 54pF @7.5V(Vds) 59pF @7.5V(Vds)

输出功率(Max) - 3 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 165 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 52800 mW 19500 mW 52800 mW

额定电压 25 V 25 V 25 V

漏源击穿电压 - - 25 V

极性 N-Channel - -

漏源极电压(Vds) 25 V - -

连续漏极电流(Ids) 4.00 A - -

封装 PowerSO-10RF 5X5-8 PowerSO-10RF

长度 - - 7.5 mm

宽度 - - 9.4 mm

高度 - - 3.5 mm

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 165℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台