MMBZ27VAWT1G和SZMMBZ27VAWT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBZ27VAWT1G SZMMBZ27VAWT1G SZMMBZ27VCLT1G

描述 40W 双齐纳瞬态电压抑制器,ON SemiconductorSOT-23 双共阳极齐纳,用于 ESD 防护。 旨在用于电压和 ESD 敏感设备,如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor225mW,MMBZ52 和 SZMMBZ52 系列,On Semiconductor### Zener Diodes, ON SemiconductorON SEMICONDUCTOR  SZMMBZ27VCLT1G  ESD Protection Device, 38 V, SOT-23, 3 Pins, 225 mW 新

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 TVS二极管齐纳二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SC-70-3 SC-70-3 SOT-23-3

工作电压 22 V 22 V -

击穿电压 22 V 27 V -

电路数 2 - -

针脚数 3 - 3

耗散功率 200 mW - 225 mW

钳位电压 40 V 40 V 38 V

测试电流 1 mA 1 mA 1 mA

最大反向击穿电压 28.35 V - 28.35 V

脉冲峰值功率 40 W 40 W 40 W

最小反向击穿电压 25.65 V 25.65 V 25.65 V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

稳压值 - 27 V -

耗散功率(Max) - 40 W 300 mW

击穿电压 - - 25.65 V

工作结温 - - -55℃ ~ 150℃

长度 2.2 mm 2.2 mm 3.04 mm

宽度 1.35 mm 1.35 mm 1.40 mm

高度 0.9 mm 0.9 mm 0.94 mm

封装 SC-70-3 SC-70-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

温度系数 - 24.3 mV/℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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