对比图
型号 STP5NK100Z STP80NF06 IXFP4N100Q
描述 STMICROELECTRONICS STP5NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS STP80NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 60 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 VIXYS SEMICONDUCTOR IXFP4N100Q 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 1 kV, 3 ohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 1 - 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 3.7 Ω 0.0065 Ω 3 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 125 W 300 W 156 W
阈值电压 3.75 V 3 V 5 V
漏源极电压(Vds) 1 kV 60 V 1 kV
漏源击穿电压 1.00 kV 60.0 V 1000 V
连续漏极电流(Ids) 3.50 A 80.0 A 4.00 A
上升时间 7.7 ns 85 ns 15 ns
反向恢复时间 - - 250 ns
输入电容(Ciss) 1154pF @25V(Vds) 3850pF @25V(Vds) 1050pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 125 W 300 W 150 W
下降时间 19 ns 25 ns 18 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 125W (Tc) 300W (Tc) 150W (Tc)
额定电压(DC) 1.00 kV 60.0 V -
额定电流 3.50 A 80.0 A -
额定功率 125 W - -
栅源击穿电压 ±30.0 V ±20.0 V -
长度 10.4 mm 10.4 mm 10.66 mm
宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.83 mm
高度 9.15 mm 9.15 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - -