对比图
型号 IRF7201TRPBF IRF8707PBF IRF7201
描述 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INTERNATIONAL RECTIFIER IRF8707PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 11A, SOIC 新SOIC N-CH 30V 7.3A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
针脚数 8 8 -
漏源极电阻 30 mΩ 0.0119 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5W (Tc)
产品系列 - IRF8707 IRF7201
阈值电压 1 V 1.8 V -
输入电容 - 760pF @15V -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 7.00 A 11.0 A 7.30 A
输入电容(Ciss) 550pF @25V(Vds) 760pF @15V(Vds) 550pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V
额定电流 7.30 A - 7.30 A
漏源击穿电压 30 V - 30.0 V
上升时间 35 ns - 35 ns
下降时间 19 ns - 19 ns
耗散功率(Max) 2.5W (Tc) - 2.5W (Tc)
额定功率 2.5 W - -
通道数 1 - -
长度 5 mm 5 mm -
高度 1.5 mm 1.5 mm -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
宽度 4 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - Silicon
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -