对比图
型号 IRF9952 IRF9952TRPBF MMDF2C03HDR2G
描述 SOIC N+P 30V 3.5A/2.3AINFINEON IRF9952TRPBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.5 A, 30 V, 0.08 ohm, 10 V, 1 V2A,30V,SO-8,N/P沟道功率双MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 2.00 A
通道数 - 2 2
漏源极电阻 - 0.08 Ω 70 mΩ
极性 N+P N-Channel, P-Channel Dual N-Channel, Dual P-Channel
耗散功率 - 2 W 2 W
输入电容 - 190 pF 630 pF
栅电荷 - - 16.0 nC
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 - 30 V 30 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 3.5A/2.3A 3.5A/2.3A 4.10 A
输入电容(Ciss) 190pF @15V(Vds) 190pF @15V(Vds) 630pF @24V(Vds)
额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 2000 mW 2 W 2 W
上升时间 8.8 ns - -
下降时间 6.9 ns - -
额定功率 - 2 W -
针脚数 - 8 -
阈值电压 - 1 V -
长度 - 5 mm 5 mm
宽度 - 4 mm 4 mm
高度 - 1.5 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - - EAR99