MJD200T4G和MJD200T5G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD200T4G MJD200T5G MJD200G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MJD200T4G  单晶体管 双极, NPN, 25 V, 65 MHz, 12.5 W, 5 A, 70 hFETRANS NPN 25V 5A DPAKON SEMICONDUCTOR  MJD200G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 65 MHz, 1.4 W, 5 A, 65 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 3 - 3

击穿电压(集电极-发射极) 25 V 25 V 25 V

最小电流放大倍数(hFE) 45 @2A, 1V 45 @2A, 1V 45 @2A, 1V

额定功率(Max) 1.4 W 1.4 W 1.4 W

频率 65 MHz - 65 MHz

额定电压(DC) 25.0 V - 25.0 V

额定电流 5.00 A - 5 A

针脚数 3 - 3

极性 NPN - NPN

耗散功率 12.5 W - 1.4 W

增益频宽积 - - 65 MHz

热阻 - - 10℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流 5A - 5A

直流电流增益(hFE) 70 - 65

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 1400 mW - 1400 mW

额定功率 1.4 W - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - - 6.73 mm

宽度 - - 6.22 mm

高度 - - 2.38 mm

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20 - 2018/01/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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