对比图
型号 FQP11N40C STP80NF10 IRF740APBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP11N40C 晶体管, MOSFET, N沟道, 10.5 A, 400 V, 0.43 ohm, 10 V, 4 VN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsVISHAY IRF740APBF 场效应管, MOSFET, N沟道
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
额定电压(DC) 400 V 100 V 400 V
额定电流 10.5 A 80.0 A 10.0 A
额定功率 135 W 300 W 125 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.43 Ω 0.012 Ω 0.55 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 135 W 300 W 125 W
阈值电压 4 V 3 V 4 V
漏源极电压(Vds) 400 V 100 V 400 V
漏源击穿电压 400 V 100 V 400 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 10.5 A 80.0 A 10.0 A
上升时间 89 ns 80 ns 35 ns
输入电容(Ciss) 1090pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 1030pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 135 W 300 W -
下降时间 81 ns 60 ns 22 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 135W (Tc) 300W (Tc) 125 W
通道数 - 1 -
输入电容 - 5500 pF 1030pF @25V
长度 10.1 mm 10.4 mm 10.41 mm
宽度 4.7 mm 4.6 mm 4.7 mm
高度 9.4 mm 9.15 mm 9.01 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active -
包装方式 Rail, Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -