J112,126和J113,126

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 J112,126 J113,126 J113

描述 JFET N-CH 40V 20mA TO92-3IC JFET N-CH 40V 2mA TO92-3FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  J113  晶体管, JFET, JFET, -35 V, 2 mA, -3 V, TO-92, JFET

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

额定电压(DC) - - 35.0 V

额定电流 - - 50.0 mA

击穿电压 - - -35.0 V

漏源极电阻 50 Ω 100 Ω 100 Ω

极性 - - N-Channel

耗散功率 - - 625 mW

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 35.0 V

栅源击穿电压 - 40 V 35 V

连续漏极电流(Ids) - - 2.00 mA

击穿电压 40 V 40 V 35 V

额定功率(Max) 400 mW 400 mW 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

漏源击穿电压 - 40 V -

输入电容(Ciss) 6pF @10V(Vgs) 6pF @10V(Vgs) -

耗散功率(Max) 400 mW 400 mW -

长度 - - 5.2 mm

宽度 3.2 mm 3.2 mm 4.19 mm

高度 - - 5.33 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tape & Box (TB) Cut Tape (CT) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99

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