FZT851TA和ZXTN2010GTA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FZT851TA ZXTN2010GTA NSS60601MZ4T1G

描述 FZT851TA 编带DIODES INC.  ZXTN2010GTA  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.6 W, 6 A, 200 hFEON SEMICONDUCTOR  NSS60601MZ4T1G  单晶体管 双极, AEC-Q101, NPN, 60 V, 100 MHz, 710 mW, 6 A, 50 hFE

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 4

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

频率 130 MHz 130 MHz 100 MHz

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -

额定电流 6.00 A 6.00 A -

针脚数 - 4 4

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 3 W 1.6 W 710 mW

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 6A 6A 6A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @2A, 1V 100 @2A, 1V 120 @1A, 2V

额定功率(Max) 3 W 3 W 800 mW

直流电流增益(hFE) - 200 50

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3000 mW 3000 mW 2000 mW

无卤素状态 - - Halogen Free

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

军工级 - Yes -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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