对比图
型号 BSZ22DN20NS3GATMA1 BUZ73AH BSZ42DN25NS3GATMA1
描述 INFINEON BSZ22DN20NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 200 V, 0.194 ohm, 10 V, 3 VSIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power TransistorINFINEON BSZ42DN25NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 250 V, 0.371 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
封装 TSDSON-8 TO-220 TSDSON-8
引脚数 8 - 8
封装 TSDSON-8 TO-220 TSDSON-8
长度 3.3 mm - 3.3 mm
宽度 3.3 mm - 3.3 mm
高度 1.1 mm - 1.1 mm
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
额定功率 34 W - 33.8 W
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.194 Ω - 0.371 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 34 W - 33.8 W
阈值电压 3 V - 3 V
漏源极电压(Vds) 200 V - 250 V
连续漏极电流(Ids) 7A - 5A
上升时间 4 ns - 2 ns
输入电容(Ciss) 320pF @100V(Vds) - 320pF @100V(Vds)
下降时间 3 ns - 8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 34000 mW - 33800 mW
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - - 250 V
工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃