CY14MB064J2A-SXI和23K640-I/SN

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY14MB064J2A-SXI 23K640-I/SN N64S830HAS22I

描述 64千位( 8 K A ?? 8 )串行( I2C )的nvSRAM 64-Kbit (8 K × 8) Serial (I2C) nvSRAMMICROCHIP  23K640-I/SN  芯片, SRAM, 串口, 64K, 2.7V, SOIC8RAM,ON Semiconductor串行静态随机存取存储器 (SRAM)。### SRAM(静态随机存取存储器)

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Microchip (微芯) ON Semiconductor (安森美)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

存取时间(Max) 900 ns 25 ns 25 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

频率 - 20 MHz 20 MHz

电源电压(DC) - 2.70V (min) 2.50V (min)

无卤素状态 - - Halogen Free

时钟频率 - 20 MHz 20 MHz

位数 - 8 8

存取时间 - - 25 ns

内存容量 - 8000 B 8000 B

工作电压 - 2.7V ~ 3.6V -

针脚数 - 8 -

电源电压(Max) - 3.6 V -

电源电压(Min) - 2.7 V -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 4.9 mm 5 mm

宽度 - 3.9 mm 4 mm

高度 - 1.25 mm 1.5 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Each Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 3A991.b.2.a EAR99 EAR99

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