对比图
描述 NPN中功率型硅开关晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON SWITCHING TRANSISTORNPN中功率型硅开关晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON SWITCHING TRANSISTORFAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC636TA 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 1 W, -1 A, 25 hFE
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-5 TO-5 TO-92-3
引脚数 3 - 3
极性 NPN NPN PNP
击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 45 V
频率 - - 100 MHz
额定电压(DC) - - -45.0 V
额定电流 - - -1.00 A
针脚数 - - 3
耗散功率 0.6 W - 1 W
集电极最大允许电流 - - 1A
最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 10V - 40 @150mA, 2V
最大电流放大倍数(hFE) - - 250
额定功率(Max) 600 mW - 1 W
直流电流增益(hFE) - - 25
工作温度(Max) 200 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃
耗散功率(Max) 600 mW - 1 W
封装 TO-5 TO-5 TO-92-3
长度 - - 4.58 mm
宽度 - - 3.86 mm
高度 - - 5.33 mm
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active Active
包装方式 Bag Bulk Tape
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - 150℃ (TJ)
RoHS标准 Non-Compliant - RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead - Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - EAR99