对比图
型号 FDD86102LZ IPD25CN10NGATMA1
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD86102LZ 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 0.0178 ohm, 10 V, 1.5 VDPAK N-CH 100V 35A
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
针脚数 3 -
漏源极电阻 0.0178 Ω 0.019 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 54 W 71 W
阈值电压 1.5 V 3 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 8A 35A
上升时间 2.3 ns 4 ns
输入电容(Ciss) 1540pF @50V(Vds) 2070pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 3.1 W 71 W
下降时间 2.3 ns 3 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 54W (Tc) 71W (Tc)
长度 6.73 mm 6.5 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.39 mm 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17