DS1250AB-100IND和DS1250AB-100+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1250AB-100IND DS1250AB-100+ DS1250AB-70IND+

描述 IC NVSRAM 4Mbit 100NS 32EDIPIc Nvsram 4Mbit 100ns 32dip - Ds1250ab-100+IC NVSRAM 4Mbit 70NS 32DIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 DIP-32 EDIP-32 DIP-32

存取时间 - 100 ns 70 ns

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V

工作温度(Max) - 70 ℃ -

工作温度(Min) - 0 ℃ -

电源电压(Max) - 5.25 V -

电源电压(Min) - 4.75 V -

封装 DIP-32 EDIP-32 DIP-32

长度 - 43.69 mm -

宽度 - 18.8 mm -

高度 - 9.4 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube, Rail Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

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