对比图
型号 IPW60R099CP SIHG33N60E-GE3 SIHW33N60E-GE3
描述 INFINEON IPW60R099CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31 A, 600 V, 99 mohm, 10 V, 3 VVISHAY SIHG33N60E-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 33 A, 600 V, 0.083 ohm, 10 V, 2 VVISHAY SIHW33N60E-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 33A, TO-247AD-3
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管中高压MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 99 mΩ 0.083 Ω 0.083 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 255 W 278 W 278 W
阈值电压 3 V 2 V 2 V
漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 600 V
上升时间 5 ns 60 ns 60 ns
输入电容(Ciss) 2800pF @100V(Vds) 3508pF @100V(Vds) -
下降时间 5 ns 54 ns 54 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 255W (Tc) 278000 mW -
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - - 600 V
额定电压(DC) 600 V - -
额定电流 31.0 A - -
输入电容 2.80 nF - -
栅电荷 80.0 nC - -
连续漏极电流(Ids) 31.0 A - -
额定功率(Max) 255 W - -
宽度 5.21 mm 5.31 mm -
高度 21.1 mm 20.7 mm -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
长度 16.13 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -
包装方式 Tube Tube Tube
产品生命周期 Not Recommended - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 - -