BC373G和BC373RL1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC373G BC373RL1 BC373RL1G

描述 高压达林顿晶体管 High Voltage Darlington Transistors高压达林顿晶体管 High Voltage Darlington TransistorsON SEMICONDUCTOR  BC373RL1G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 625 mW, 1 A, 10 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-226-3

额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V 80.0 V

额定电流 1.00 A 1.00 A 1.00 A

针脚数 - - 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 625 mW - 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 1A 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 10000 @100mA, 5V 10000 @100mA, 5V 10000 @100mA, 5V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

直流电流增益(hFE) 160 - 10

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

增益带宽 200 MHz - 200 MHz

耗散功率(Max) 1500 mW - 1500 mW

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-226-3

长度 5.2 mm 5.2 mm -

宽度 4.19 mm 4.19 mm -

高度 5.33 mm 5.33 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Bulk Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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