对比图
型号 IRLR2908TRLPBF STD25NF10T4 STD30NF06LT4
描述 Trans MOSFET N-CH 80V 39A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RSTMICROELECTRONICS STD25NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 100 V, 33 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STD30NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 60 V, 0.022 ohm, 2.5 V, 1.7 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) - 100 V 60.0 V
额定电流 - 25.0 A 35.0 A
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 0.0225 Ω 0.033 Ω 0.022 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 120 W 100 W 70 W
阈值电压 1 V 3 V 1.7 V
漏源极电压(Vds) 80 V 100 V 60 V
漏源击穿电压 - 100 V 60.0 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) - 12.5 A 35.0 A
上升时间 - 60 ns 105 ns
输入电容(Ciss) 1890pF @25V(Vds) 1550pF @25V(Vds) 1600pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 120 W 100 W 70 W
下降时间 - 15 ns 25 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 100W (Tc) 70W (Tc)
输入电容 - - 1600 pF
长度 - 6.6 mm 6.6 mm
宽度 - 6.2 mm 6.2 mm
高度 - 2.4 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99