对比图
型号 IRF9321PBF SI4425DDY-T1-GE3 SI4483ADY-T1-GE3
描述 INFINEON IRF9321PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -15 A, -30 V, 5.9 mohm, -10 V, -1.8 VVISHAY SI4425DDY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -19.7 A, -30 V, 8.1 mohm, -10 V, -1.2 VVISHAY SI4483ADY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -19.2 A, -30 V, 0.0127 ohm, -4.5 V, -2.1 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.0059 Ω 0.0081 Ω 0.0127 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 2.5 W 5.7 W 5.9 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
额定功率 1.5 W - -
阈值电压 1.8 V - -
漏源极电压(Vds) 30 V - -
连续漏极电流(Ids) 15A - -
输入电容(Ciss) 2590pF @25V(Vds) - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - -
长度 4.98 mm - 4.9 mm
宽度 3.99 mm - 3.9 mm
高度 1.57 mm - 1.75 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -
ECCN代码 - EAR99 -