PMFPB8032XP,115和PMFPB6532UP,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PMFPB8032XP,115 PMFPB6532UP,115

描述 Single P-Channel 20V 156mOhm 8.6NC 1100mW Silicon SMT Mosfet - DFN-2020Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6Pin DFN EP T/R

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 DFN2020-6 DFN2020-6

极性 - P-Channel

耗散功率 1190 mW 520mW (Ta), 8.3W (Tc)

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

上升时间 14 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 550pF @10V(Vds) 380pF @10V(Vds)

下降时间 50 ns 35 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 485mW (Ta), 6.25W (Tc) 520mW (Ta), 8.3W (Tc)

封装 DFN2020-6 DFN2020-6

高度 0.61 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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