DTD113ZS和DTD114GKT146

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTD113ZS DTD114GKT146 DTD133HKT146

描述 500毫安/ 50V数字晶体管(带内置式电阻器) 500mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors)DTD114GKT146 编带SMT NPN 50V 500mA

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 -

封装 SPT SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) - 50.0 V 50.0 V

额定电流 - 500 mA 500 mA

额定功率 - 0.2 W -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - 200 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 500mA 500mA 500mA

最小电流放大倍数(hFE) - 56 @50mA, 5V 56 @50mA, 5V

额定功率(Max) - 200 mW 200 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

增益带宽 - 200 MHz -

耗散功率(Max) - 200 mW -

长度 - 2.9 mm -

宽度 - 1.6 mm -

高度 - 1.1 mm -

封装 SPT SOT-23-3 SOT-23-3

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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