IRF7416PBF和STS7PF30L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7416PBF STS7PF30L IRF7314TRPBF

描述 -30V,-10A,P沟道功率MOSFETP沟道30V - 0.016ohm - 7A SO- 8 STripFET⑩ II功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.016ohm - 7A SO-8 STripFET⑩ II POWER MOSFETIRF7314TRPBF 编带

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -20.0 V

额定电流 -10.0 A -7.00 A -5.30 A

漏源极电阻 0.035 Ω 0.016 Ω 0.098 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel, Dual P-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.4 W

产品系列 IRF7416 - IRF7314

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 20 V

连续漏极电流(Ids) -10.0 A 7.00 A -5.30 A

热阻 - - 62.5℃/W (RθJC)

输入电容(Ciss) 1700pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 780pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

漏源击穿电压 -30.0 V 30.0 V -

上升时间 49.0 ns 54 ns -

阈值电压 - 1.6 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

下降时间 - 23 ns -

耗散功率(Max) - 2.5W (Tc) -

长度 5 mm - 5 mm

高度 1.5 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 -

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