IRGB4064DPBF和STGP10NC60HD

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRGB4064DPBF STGP10NC60HD STGP10NB60S

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 101000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB TubeSTGP10NC60HD 系列 N沟道 600 V 10 A 极快 IGBT 法兰安装 - TO-220-3STMICROELECTRONICS  STGP10NB60S  单晶体管, IGBT, 29 A, 1.35 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 101 W 56 W 80 W

产品系列 IRGB4064D - -

上升时间 15.0 ns 5.00 ns -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

反向恢复时间 62 ns 22 ns -

额定功率(Max) 101 W 65 W 80 W

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) - 600 V 600 V

额定电流 - 20.0 A 10.0 A

耗散功率(Max) - 65000 mW 80000 mW

针脚数 - - 3

漏源极电压(Vds) - - 600 V

连续漏极电流(Ids) - - 10.0 A

长度 10.66 mm 10.4 mm 10.4 mm

高度 16.51 mm 9.15 mm 9.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

宽度 - 4.6 mm 4.6 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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