IPD60R520C6ATMA1和IPD60R600C6BTMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPD60R520C6ATMA1 IPD60R600C6BTMA1 IPD60R520C6

描述 Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R520C6ATMA1, 8.1 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装DPAK N-CH 600V 7.3AInfineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 66 W 63 W 66 W

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 8.1A 7.3A 8.1A

上升时间 10 ns 9 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 512pF @100V(Vds) 440pF @100V(Vds) 512pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 66 W - 66 W

下降时间 14 ns 13 ns 14 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 66W (Tc) 63W (Tc) 66W (Tc)

长度 6.73 mm 6.5 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.41 mm 2.3 mm 2.41 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

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