对比图
型号 SI7214DN-T1-E3 SI7214DN-T1-GE3
描述 N沟道 30 V 0.04 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - PowerPAK-1212-8Trans MOSFET N-CH 30V 4.6A 8Pin PowerPAK 1212 T/R
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 8 8
封装 1212 1212
漏源极电阻 0.0333 Ω 0.047 Ω
极性 Dual N-Channel Dual N-Channel
耗散功率 1.3 W 1.3 W
阈值电压 2.1 V 3 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 6.40 A 5.90 A
额定功率(Max) - 1.3 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
针脚数 8 -
上升时间 10 ns -
下降时间 6 ns -
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 1300 mW -
封装 1212 1212
高度 1.04 mm -
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Exempt
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 -