SI7214DN-T1-GE3

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SI7214DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.047 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 1.3 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 5.90 A

额定功率Max 1.3 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 1212

外形尺寸

封装 1212

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Exempt

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7214DN-T1-GE3
型号: SI7214DN-T1-GE3
描述:Trans MOSFET N-CH 30V 4.6A 8Pin PowerPAK 1212 T/R
替代型号SI7214DN-T1-GE3
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