IRLML6401TRPBF和SI2305DS-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLML6401TRPBF SI2305DS-T1-E3 IRLML6401TR

描述 INFINEON  IRLML6401TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -12 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -550 mVVISHAY  SI2305DS-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -8 V, 52 mohm, -4.5 V, -800 mVSOT-23P-CH 12V 4.3A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 TO-236 SOT-23-3

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 1.3 W 1.25 W 1300 mW

漏源极电压(Vds) 12 V -8.00 V 12 V

连续漏极电流(Ids) 4.3A 3.50 A 4.3A

上升时间 32 ns - 32 ns

输入电容(Ciss) 830pF @10V(Vds) - 830pF @10V(Vds)

下降时间 210 ns - 210 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.3W (Ta) - 1.3W (Ta)

额定功率 1.3 W 1.25 W -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.05 Ω 52 mΩ -

阈值电压 550 mV - -

输入电容 830 pF - -

额定功率(Max) 1.3 W - -

栅源击穿电压 - ±8.00 V -

封装 SOT-23-3 TO-236 SOT-23-3

长度 3.04 mm - -

宽度 1.4 mm - -

高度 1.02 mm - -

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active - Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台