2N4033和JANTX2N4029

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N4033 JANTX2N4029 2N4029

描述 NTE ELECTRONICS 2N4033 Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -80V, 500MHz, 800mW, 2.2A, 100 hFEJANTX Series 80V 1A Through Hole PNP Silicon Switching Transistor - TO-18PNP硅晶体管开关 PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 NTE Electronics Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-39 TO-18 TO-18-3

耗散功率 800 mW 0.5 W 0.5 W

输入电容 - 80 pF -

上升时间 - 25 ns -

击穿电压(集电极-发射极) 60.0 V 80 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @100mA, 5V 100 @100mA, 5V

额定功率(Max) - 500 mW 500 mW

工作温度(Max) 175 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 500 mW 500 mW

极性 PNP - -

直流电流增益(hFE) 100 - -

增益频宽积 - - 150 MHz

最大电流放大倍数(hFE) - - 300

封装 TO-39 TO-18 TO-18-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bag Bag

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead

ECCN代码 - EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台