RFP45N06和SSH22N50A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RFP45N06 SSH22N50A RFP30N06LE

描述 45A , 60V ,额定雪崩N沟道增强型功率MOSFET 45A, 60V, Avalanche Rated N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET30A , 60V , ESD额定, 0.047欧姆,逻辑电平N沟道功率MOSFET 30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-220-3 TO-3-3 TO-220-3

额定电压(DC) 60.0 V 500 V 60.0 V

额定电流 45.0 A 22.0 A 30.0 A

漏源极电阻 28.0 mΩ 250 mΩ 47.0 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 131W (Tc) 278 W 96 W

漏源极电压(Vds) 60 V 500 V 60 V

漏源击穿电压 60.0 V 500 V 60.0 V

连续漏极电流(Ids) 45.0 A 22.0 A 30.0 A

上升时间 - 30 ns 88 ns

输入电容(Ciss) 2050pF @25V(Vds) 5120pF @25V(Vds) 1350pF @25V(Vds)

下降时间 - 43 ns 40 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 131W (Tc) 278W (Tc) 96W (Tc)

通道数 - 1 -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±30.0 V -

额定功率(Max) 131 W 278 W -

长度 - 16.2 mm 10.67 mm

宽度 - 5 mm 4.7 mm

高度 - 20.1 mm 16.3 mm

封装 TO-220-3 TO-3-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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