对比图
描述 P沟道,-20V,-3A,80mΩ@-4.5VPowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN338P 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.6 A, -20 V, 130 mohm, -4.5 V, -800 mV
数据手册 ---
制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) - -20.0 V -20.0 V
额定电流 - -2.00 A -1.60 A
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - 0.062 Ω 0.088 Ω
极性 P-CH P-Channel P-Channel
耗散功率 1.4 W 500 mW 500 mW
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
漏源击穿电压 - - -20.0 V
栅源击穿电压 - ±12.0 V ±8.00 V
连续漏极电流(Ids) 3A 2.00 A 1.60 A
上升时间 36 ns 8 ns 11 ns
输入电容(Ciss) 540pF @10V(Vds) 635pF @10V(Vds) 451pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 1.4 W 460 mW 460 mW
下降时间 56 ns 19 ns 6.5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.4W (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta)
阈值电压 - 1.05 V -
输入电容 - 635 pF -
栅电荷 - 6.30 nC -
额定功率 0.9 W - -
长度 - 2.92 mm 2.92 mm
宽度 - 1.4 mm 1.4 mm
高度 - 0.94 mm 0.94 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 EAR99
香港进出口证 - NLR -