MTD6N20E和MTD6N20ET4G

对比图

型号 MTD6N20E MTD6N20ET4G MTD5P06V

描述 功率MOSFET 6安培， 200伏特N沟道DPAK Power MOSFET 6 Amps, 200 Volts N−Channel DPAKON SEMICONDUCTOR  MTD6N20ET4G  晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 200 V, 0.46 ohm, 10 V, 3 V功率MOSFET 5安培， 60伏P沟道DPAK Power MOSFET 5 Amps, 60 Volts P−Channel DPAK

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 DPAK-252 TO-252-3 DPAK

极性 N-CH N-Channel P-CH

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 6A 6.00 A 5A

上升时间 29 ns 29 ns -

输入电容(Ciss) 342pF @25V(Vds) 480pF @25V(Vds) -

下降时间 20 ns 20 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 50000 mW 1.75W (Ta), 50W (Tc) -

额定电压(DC) - 200 V -

额定电流 - 6.00 A -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.46 Ω -

耗散功率 - 50 W -

阈值电压 - 3 V -

输入电容 - 480 pF -

栅电荷 - 21.0 nC -

漏源击穿电压 - 200 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

额定功率(Max) - 1.75 W -

封装 DPAK-252 TO-252-3 DPAK

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.38 mm -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -