BCW32LT1G和MUN2140T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCW32LT1G MUN2140T1G BCW33

描述 ON SEMICONDUCTOR  BCW32LT1G  单晶体管 双极, NPN, 32 V, 225 mW, 100 mA, 200 hFE偏置电阻晶体管 Bias Resistor TransistorsNPN通用放大器 NPN General Purpose Amplifier

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SC-59-3 SOT-23-3

频率 - - 200 MHz

额定电压(DC) 32.0 V - 32.0 V

额定电流 100 mA - 500 mA

极性 NPN PNP NPN

耗散功率 225 mW 230 mW 0.35 W

击穿电压(集电极-发射极) 32 V 50 V 32 V

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 120 @5mA, 10V 420 @2mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 120 800

额定功率(Max) 225 mW 230 mW 350 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -50 ℃ -55 ℃ 55 ℃

针脚数 3 - -

集电极最大允许电流 0.1A 100mA -

直流电流增益(hFE) 200 - -

耗散功率(Max) 225 mW 338 mW -

无卤素状态 - Halogen Free -

长度 3.04 mm 2.9 mm 2.92 mm

宽度 1.4 mm 1.5 mm 1.3 mm

高度 1.11 mm 1.09 mm 0.93 mm

封装 SOT-23-3 SC-59-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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