DS1230Y-200和DS1230Y-200+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1230Y-200 DS1230Y-200+ DS1230Y-70+

描述 IC NVSRAM 256Kbit 200NS 28DIPMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230Y-200+  芯片, 存储器, NVRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230Y-70+  芯片, 存储器, NVRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 28 28 28

封装 EDIP-28 EDIP-28 EDIP-28

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

时钟频率 200 GHz 200 GHz 70.0 GHz

存取时间 200 ns 200 ns 70 ns

内存容量 32000 B 32000 B 32000 B

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

针脚数 - 28 28

电源电压(Max) - 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) - 4.5 V 4.5 V

长度 39.12 mm 39.37 mm 39.12 mm

宽度 18.8 mm 18.8 mm 18.8 mm

高度 9.4 mm 9.35 mm 9.4 mm

封装 EDIP-28 EDIP-28 EDIP-28

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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