对比图
型号 R5016ANJTL STB21NK50Z STB20NK50ZT4
描述 MOSFET TRANS MOSFET NCH 500V 16A 3PinSTMICROELECTRONICS STB21NK50Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 500 V, 0.23 ohm, 10 V, 3.75 VN沟道500V -0.23 OHM - 17A TO- 220 / D2PAK / I2SPAK / TO- 247 N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247
数据手册 ---
制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SC-83 TO-263-3 TO-263-3
耗散功率 100 W 190 W 190 W
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
上升时间 50 ns 20 ns 20 ns
输入电容(Ciss) 1800pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds)
下降时间 55 ns 15 ns 15 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 100W (Tc) 190W (Tc) 190W (Tc)
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.23 Ω 0.23 Ω
极性 - N-Channel N-Channel
阈值电压 - 3.75 V 3.75 V
额定功率(Max) - 190 W 190 W
额定电压(DC) - - 500 V
额定电流 - - 17.0 A
漏源击穿电压 - - 500 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) - - 17.0 A
封装 SC-83 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10.4 mm -
宽度 - 9.35 mm -
高度 - 4.6 mm -
材质 Silicon - -
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2014/06/16 2015/12/17