FDS5690和IRF7478

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS5690 IRF7478 STS7NF60L

描述 FDS5690 系列 60 V 28 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet SOIC-8Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8Pin SOICSTMICROELECTRONICS  STS7NF60L  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 60 V, 0.017 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 7.00 A 4.20 A 7.50 A

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

产品系列 - IRF7478 -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V 60.0 V

连续漏极电流(Ids) 7.00 A 7.00 A 7.50 A

上升时间 9 ns 2.60 ns 27 ns

输入电容(Ciss) 1107pF @30V(Vds) 1740pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 2.5 W 2.5 W

漏源极电阻 28.0 mΩ - 0.017 Ω

输入电容 1.11 nF - 1.70 nF

栅电荷 23.0 nC - 25.0 nC

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±16.0 V

下降时间 10 ns - 20 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - 2.5W (Tc)

针脚数 - - 8

阈值电压 - - 1 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

高度 - - 1.65 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)

ECCN代码 EAR99 - -

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