STGW38IH130D和STGWS38IH130D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STGW38IH130D STGWS38IH130D IHW30N120R2

描述 STMICROELECTRONICS  STGW38IH130D  单晶体管, IGBT, 63 A, 1.3 kV, 250 W, 1.3 kV, TO-247, 3 引脚33 A - 1300 V - 非常快速的IGBT 33 A - 1300 V - very fast IGBT逆导IGBT与单片体二极管 Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

耗散功率 250 W 180000 mW 390 W

击穿电压(集电极-发射极) 1300 V 1300 V 1200 V

额定功率(Max) 250 W 180 W 390 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 250000 mW 180000 mW 390 W

针脚数 3 - -

长度 - - 15.9 mm

宽度 5.15 mm - 5.3 mm

高度 - - 20.95 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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