FDS6575和TPS1100DR

对比图

型号 FDS6575 TPS1100DR SI4423DY-T1-GE3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6575  晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -20 V, 0.0085 ohm, -4.5 V, -600 mV单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETSSOIC-8P-CH 20V 10A 7.5mΩ

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) TI (德州仪器) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) -20.0 V - -

额定电流 -10.0 A - -

通道数 1 1 -

针脚数 8 - -

漏源极电阻 0.0085 Ω - 7.5 mΩ

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 2.5 W 0.791 W 1.5 W

输入电容 4.95 nF - -

栅电荷 53.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 20 V 15 V 20 V

漏源击穿电压 20 V - -

栅源击穿电压 ±8.00 V - -

连续漏极电流(Ids) 10.0 A 1.6A 10A

上升时间 9 ns 10 ns 165 ns

输入电容(Ciss) 4951pF @10V(Vds) - -

额定功率(Max) 1.2 W 791 mW -

下降时间 78 ns 2 ns 210 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 125 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 791mW (Ta) 3000 mW

长度 5 mm 4.9 mm -

宽度 4 mm 3.91 mm -

高度 1.5 mm 1.75 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - - 2500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -